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占总预算10%,SK海力士将投10亿美元提高HBM封装能力

时间:03-08 来源:最新资讯 访问次数:111

占总预算10%,SK海力士将投10亿美元提高HBM封装能力

IT之家 3 月 7 日消息,SK 海力士为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位,2024 年计划投资超过 10 亿美元,扩大在韩国的测试和封装能力。据第三方专家预测,SK 海力士今年的资本支出总额将达到 105 亿美元。彭博社报道称,测试和封装能力在总支出预算占比 10%,表明 SK 海力士非常重要封装能力。IT之家从报道中获悉,这项业务由 Lee Kang-Wook 领导,他曾在三星电子从事过类似的工作,其特长是结合不同的半导体材料和开发新的互连方法。Lee Kang-Wook 认为半导体行业的前 50 年致力于硅加工相关组件的初始阶段,而后 50 年将致力于芯片封装技术。Lee Kang-Wook 参与开发 HBM2E 内存芯片封装方法,SK 海力士也正是凭借着封装方面的优势,被英伟达选中成为主要 AI 芯片供应商。作为一名三星工程师,Lee Kang-Wook 从 2002 年开始领导堆叠半导体元件层间互连技术的开发。这项技术后来为 HBM 内存芯片的诞生奠定了基础,最新一代的 HBM 内存芯片有 12 层,垂直连接。2013 年,SK hynix 和 AMD 率先在量产产品中使用了 HBM,此后两年内没有任何竞争对手可以效仿,直到 2015 年底三星推出 HBM2。SK hynix 目前正在与日本公司合作,开发更先进的 HBM 存储器芯片垂直互连技术。2 月底,三星宣布已完成 12 层 HBM3E 芯片的开发,单层堆栈可提供高达 36 GB 的内存。美光科技(Micron Technology)同时宣布推出 8 层 HBM3E 内存,单堆容量可达 24 GB。

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